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ME-L 穆勒矩阵椭偏仪

时间:21-01-22 点击:

PCB抄板是反向技术研发一个重要的应用领域。利用PCB抄板对产品进行拆解,从产品的pcb文件、BOM清单、原理图等设计要素入手进行研究,从而达到对引进技术进行消化、吸收和再创新的目的。迄今为止,PCB抄板已经形成一个较为成熟的行业,市场布局也从先前的克隆与复制逐渐向技术改造更新和高端化方向发展。

一、概述

ME-L 是一款科研级全自动高精度穆勒矩阵型椭偏仪,凝聚了颐光科研团队在椭偏技术多年的投入,其采用行业最新最前沿的创新技术,具备  全穆勒矩阵测量技术  双旋转补偿器同步控制技术 超级消色差补偿器设计技术 纳米光栅表征测量技术   等领先技术。可应用于各种各向同性/异性薄膜材料膜厚、光学纳米光栅常数以及一维/二维纳米光栅材料结构的表征分析,代表当今椭偏行业最高技术水平。

■ 双旋转补偿器(DRC)配置一次测量全部穆勒矩阵16个元素;

■ 配置自动变角器、五维样件控制平台等优质硬件模块;

■ 软件交互式界面配合辅助向导式设计,易上手、操作便捷;

■ 丰富的数据库和几何结构模型库,保证强大数据分析能力

二、产品特点

■ 采用氘灯和卤素灯复合光源,光谱覆盖紫外到近红外范围 (193-2500nm);

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■ 可实现穆勒矩阵数据处理,测量信息量更大,测量速度快、数据更加精准;

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■ 基于双旋转补偿器配置,可一次测量获得全穆勒矩阵的16个元素,相对传统光谱椭偏仪可获取更加丰富全面测量信息;

■ 颐光专利技术确保在宽光谱范围内,提供优质稳定的各波段光谱;

■ 数百种材料数据库、多种算法模型库,涵盖了目前绝大部分的光电材料;

■ 集成对纳米光栅的分析,可同时测量分析纳米结构周期、线宽、线高、侧壁角、粗糙度等几何形貌信息;

三、产品应用

■ 半导体薄膜结构:介电薄膜、金属薄膜、高分子、光刻胶、硅、PZT膜,激光二极管GaN和AlGaN、透明的电子器件等;

■ 半导体周期性纳米结构:纳米光栅,套刻误差,T型相变存储器等;

■ 新材料,新物理现象研究:材料光学各向异性,电光效应、弹光效应、声光效应、磁光效应、旋光效应、Kerr效应、Farady效应等;

■ 平板显示:TFT、OLED、等离子显示板、柔性显示板等;

■ 光伏太阳能:光伏材料(如Si3N4、Sb2Se3、Sb2S3、CdS等)反射率,消光系数测量,膜层厚度及表面粗糙度测量等;

■ 功能性涂料:增透型、自清洁型、电致变色型、镜面性光学涂层,以及高分子、油类、Al2O3表面镀层和处理等;

■ 生物和化学工程:有机薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子层、薄膜吸附、表面改性处理等;

■ 块状材料分析:固体(金属、半导体、介质等)或液体(纯净物或混合物)的折射率n和消光系数k表征,玻璃新品研发和质量控制等。

力思集团长期专注于各类专用芯片解密、MCU解密、FPGA解密、PLD芯片解密、CPLD芯片解密、ARM芯片解密、软件解密、IC解密等较高难度芯片解密服务,依靠多年芯片解密技术经验积累与攻关成果,可以为客户提供高可靠性、高价值、低成本的优质解密方案。